□本報記者 吳科任 楊潔
臺資企業(yè)和艦芯片將目光瞄準快速成長的中國大陸半導(dǎo)體市場，2016年便在廈門投資數(shù)百億元建造了一家12英寸晶圓廠，并躋身中國十大集成電路制造企業(yè)榜單。為尋求更大發(fā)展，和艦芯片決定沖刺科創(chuàng)板。
啟動上市計劃
3月22日，上交所受理了和艦芯片的科創(chuàng)板上市申請。作為首批受理9家企業(yè)中唯一連續(xù)三年虧損的公司，和艦芯片的A股上市計劃啟動較早。2018年6月，和艦芯片最終控股股東聯(lián)華電子董事會決議通過了和艦芯片的A股上市計劃。
目前，聯(lián)華電子間接持有和艦芯片98.14%的股份。和艦芯片發(fā)行上市后，聯(lián)華電子間接持有股份將降至87.24%，仍處于絕對控股地位。
聯(lián)華電子相關(guān)人士對中國證券報記者表示，上市后和艦芯片的資金來源將更加多元化，財務(wù)結(jié)構(gòu)將得到改善，進一步充實資本實力；借助股權(quán)激勵計劃，吸引當?shù)貎?yōu)秀人才，有助于拓展集團業(yè)務(wù)及全球布局�！巴ㄟ^募集資金，復(fù)制既有的成功模式，拓展中國大陸市場，進一步提升產(chǎn)能規(guī)模、技術(shù)品質(zhì)，強化公司既有競爭優(yōu)勢�！�
至于為何選擇科創(chuàng)板，“自受理日起，和艦芯片已進入靜默期。公司內(nèi)部、控股股東或最終控制方及其所有控制子公司，董監(jiān)高及與上市有關(guān)人員或關(guān)聯(lián)方不得接受媒體采訪。如需上市申請相關(guān)資訊，以上交所公告的招股說明書為準。”聯(lián)華電子相關(guān)人士表示。
深耕大陸市場
根據(jù)IC insights數(shù)據(jù)，2018年中國大陸地區(qū)晶圓代工市場達到106.9億美元，同比增長41%，顯著高于全球5%的平均增速。2016年至2018年，年均復(fù)合增長率為35.23%，呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢。為應(yīng)對中國大陸半導(dǎo)體市場的快速成長，聯(lián)華電子2001年11月便在蘇州投資建廠，并提供完整的IC制造解決方案。
集成電路產(chǎn)業(yè)鏈大致可分為設(shè)計、制造、封測、材料及設(shè)備五個環(huán)節(jié)。前三個環(huán)節(jié)衍生出三種經(jīng)營模式。以三星為代表的IDM模式，即垂直整合制造企業(yè)，業(yè)務(wù)涵蓋集成電路設(shè)計、晶圓制造、封裝測試等環(huán)節(jié)；以華為海思為代表Fabless模式，廠商僅進行芯片的設(shè)計、研發(fā)、應(yīng)用和銷售；以臺積電為代表的Foundry模式，專門從事晶圓制造而不從事IC設(shè)計工作。
和艦芯片屬于Foundry模式。目前，公司蘇州本部擁有1家8英寸晶圓制造廠，可控制的子公司廈門聯(lián)芯為1家12英寸晶圓制造廠，全資子公司山東聯(lián)暻主要從事IC設(shè)計服務(wù)業(yè)務(wù)。
招股書顯示，8英寸產(chǎn)能是和艦芯片的主要收入來源，2016年-2018年分別實現(xiàn)銷售收入17.54億元、21.17億元、22.21億元，收入占比分別為95%、65.26%、62.21%。12英寸產(chǎn)能從2017年開始放量，銷售收入占比從2016年的4.37%升至34%，2018年再提升到36.85%。
分區(qū)域看，2016年-2018年，中國大陸的銷售占比分別為35.33%、51.32%、43.37%；而中國臺灣市場的銷售占比分別為46.83%、36.65%、38.66%�？蛻舭ㄗ瞎饧瘓F、展訊、匯頂科技、中穎電子、鉅泉光電、珠海艾派克等公司。
根據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會統(tǒng)計數(shù)據(jù)，和艦芯片位列2017年中國半導(dǎo)體制造十大企業(yè)銷售榜排名第8，市占率為2.32%。
擺在和艦芯片面前的現(xiàn)實問題是何時扭虧。2016年-2018年，公司凈利潤分別為-11.49億元、-12.67億元、-26.02億元。和艦芯片稱，主要原因是子公司廈門聯(lián)芯前期固定資產(chǎn)折舊和無形資產(chǎn)攤銷太大，導(dǎo)致毛利率為負，且需計提存貨減值和預(yù)計負債。
制程與工藝的抉擇
晶圓制造制程從0.5μm（1μm=1000nm）已發(fā)展到現(xiàn)在的5nm。是否進一步追趕先進制程，廠商的選擇出現(xiàn)分化。一方面，全球晶圓代工龍頭臺積電致力于引領(lǐng)先進制程，其5nm制程計劃于今年4月試產(chǎn)。中芯國際選擇追趕，其第一代14nm FinFET技術(shù)進入客戶驗證階段，且12nm工藝開發(fā)取得突破。
格芯去年則宣布，暫停7nm芯片工藝開發(fā)，以便將資源轉(zhuǎn)移到14nm和12nm工藝。2017年上半年，聯(lián)華電子開始進行14nm FinFET的量產(chǎn)，但在去年宣布放棄12nm以下制程。
成本無疑是“攔路虎”。當尺寸從28nm縮小到22/20nm時，須采用輔助的兩次圖形曝光技術(shù)，制程成本將提高1.5至2倍左右。14nm及以下制程的成本更高。比如，當尺寸縮小到10nm及以下后，須使用EUV光刻機，而一臺EUV光刻機的售價超過1億美元。同時，高額的研發(fā)費用讓部分廠商止步。以臺積電為例，公司2016年研發(fā)費用超過150億元人民幣，2018年超過180億元人民幣。另外，建設(shè)成本不菲。一條20nm工藝生產(chǎn)線的投入高達100億美元。
招股書顯示，現(xiàn)階段制程仍以28nm市場需求量最大。根據(jù)IBS研究成果，28nm為目前單位邏輯閘成本最小的技術(shù)節(jié)點，長周期制程屬性明顯，預(yù)計大多數(shù)產(chǎn)品將逐步向更先進制程遷移。預(yù)計到2025年仍是市場最大需求之一。
不過，放棄先進制程將錯失部分市場機會。以5G基帶芯片為例，作為和艦芯片2018年的第一大客戶，聯(lián)發(fā)科發(fā)布的5G基帶芯片M70的制程達到7nm，代工廠為臺積電。和艦芯片重要客戶紫光展銳今年2月發(fā)布5G基帶芯片春藤510，制程為12nm，同樣選擇臺積電為其代工。
