第三代半導體投資熱，三安光電湖南半導體基地投產

　　電動車市場將是碳化硅器件成長的主要驅動力。三安欲復制LED芯片崛起的模式。

　　6月23日，總投資160億元的湖南三安半導體基地一期項目投產，將打造國內首條、全球第三條碳化硅垂直整合產業(yè)鏈，可月產30000片6英寸碳化硅晶圓。這是國內LED芯片龍頭三安光電（600703.SH）向第三代半導體領域擴張的重要一步。6月23日上午，三安光電股價上漲4.65%至32.87元/股。

　　湖南項目主要建設具有自主知識產權，以碳化硅、氮化鎵等為主的第三代半導體全產業(yè)鏈生產與研發(fā)基地，位于長沙高新產業(yè)園區(qū)，規(guī)劃用地面積約1000畝，2020年7月動工。在23日上午的點亮儀式上，三安光電股份有限公司副董事長、總經理林科闖表示，湖南三安半導體的業(yè)務涵蓋襯底材料、外延生長、晶圓制造及封裝測試等環(huán)節(jié)。

　　建成達產后，湖南三安半導體基地預計將實現(xiàn)年銷售額120億元。三安光電相關人士向第一財經記者透露，湖南三安半導體基地設備已點亮，下一步進行工藝調試和流片。

　　第三代半導體可以滿足電力電子對高溫、高功率、高壓、高頻的要求。湖南三安半導體基地通過大規(guī)模生產，以及自有碳化硅材料制備專利，產品將可廣泛應用于通信、服務器電源、光伏、新能源汽車主驅逆變器、車載充電機和充電樁、智能電網、軌道交通等領域。

　　目前碳化硅半導體仍處于發(fā)展初期，滲透率不高，會率先用在充電樁、服務器電源等領域。隨著技術突破和成本下降，未來十年有望大范圍用于工業(yè)及電動汽車領域。電動車市場將是碳化硅器件成長的主要驅動力，碳化硅功率器件市場預計以每年31%的復合增長率增長。 Cree 公司預計，碳化硅襯底及功率器件2024 年市場規(guī)模將分別達11億美元、50 億美元。

　　近年國內掀起第三代半導體的投資熱潮，臺積電最近也在擴大氮化鎵等第三代半導體業(yè)務。上述三安光電相關人士認為，雖然氮化鎵、碳化硅都屬于第三代半導體的范疇，但是氮化鎵功率器件用于手機快充、數(shù)據(jù)中心電源等領域較多；碳化硅功率器件則更多用在新能源汽車與充電、5G通信基站、特高壓電網、高鐵與軌道交通、工業(yè)互聯(lián)網、大數(shù)據(jù)中心，這些都是國家新基建重點發(fā)展的領域。

　　集邦咨詢研究副總經理王飛向第一財經記者分析認為，湖南三安半導體主要側重點是碳化硅垂直整合產業(yè)鏈，中國市場相關需求成長非常迅速，三安在相關領域有一定技術積累，與國際一線廠商的差距不像傳統(tǒng)硅基半導體那么大，因此如果項目能夠及時達產的話，可能有機會復制三安在LED芯片領域的模式。